Single Crystal Silicon Ingot

Terîf

Single Crystal Silicon Ingotis bi gelemperî mezin dibin wekî çîlekek mezin a cylindrîkî ji hêla teknolojiyên rastîn ên dopîng û kişandinê ve Czochralski CZ, zeviya magnetîkî bi rêbazên Czochralski MCZ û FZ Zone Floating.Rêbaza CZ ya herî berfireh e ku ji bo mezinbûna krîstalên sîlîkonê yên çîmentoyên mezin ên tîrêjê heya 300 mm tê bikar anîn ku di pîşesaziya elektronîkî de ji bo çêkirina amûrên nîvconductor têne bikar anîn.Rêbaza MCZ guhertoyek rêbaza CZ-ê ye ku tê de zeviyek magnetîkî ya ku ji hêla elektromagnet ve hatî afirandin, ku dikare bi berhevdana kêmbûna oksîjenê, giraniya nepakiyê kêmtir, veqetandina kêmtir û guheztina berxwedanê ya yekbûyî bi dest bixe.Rêbaza FZ bidestxistina berxwedana bilind a li jor 1000 Ω-cm û krîstalek paqijiya bilind bi naveroka oksîjenê kêm hêsan dike.

Şandinî

Single Crystal Silicon Ingot CZ, MCZ, FZ an FZ NTD bi rêgeziya n-tîp an p-tîpê li Pargîdaniya Western Minmetals (SC) dikare di mezinahiya 50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm û 200mm de were radest kirin (2, 3 , 4, 6 û 8 înç), rêgez <100>, <110>, <111> bi rûbera ku di pakêta çenteyê plastîk de li hundur bi qutiya kartonê li derve ye, an wekî taybetmendiyek xwerû da ku bigihîje çareseriya bêkêmasî.

Lêpirsîn niha

Details

Tags

Specification Teknîkî

Single Crystal Silicon Ingot

Single Crystal Silicon Ingot CZ, MCZ, FZ an FZ NTDli Pargîdaniya Western Minmetals (SC) bi rêgeziya tîpa n an jî p-tîp dikare di mezinahiya 50 mm, 75 mm, 100 mm, 125 mm, 150 mm û 200 mm (2, 3, 4, 6 û 8 înç) de were radest kirin, orientation <100 >, <110>, <111> bi rûberê ku di pakêta çenteyê plastîk de li hundurê qutiya kartonê li derve ye, an wekî taybetmendiyek xwerû ku bigihîje çareseriya bêkêmasî ye.

Na.	Items	Specification Standard
1	Mezinayî	2", 3", 4", 5", 6", 8", 9.5", 10", 12"
2	Diameter mm	50.8-241.3, an jî wekî ku tê xwestin
3	Rêbaza Mezinbûnê	CZ, MCZ, FZ, FZ-NTD
4	Conductivity Type	Tîpa P / Boron dopîkirî, tîpa N / Fosfîd dopkirî an ne-dopkirî
5	Dirêjahî mm	≥180 an jî wekî ku tê xwestin
6	Orientation	<100>, <110>, <111>
7	Berxwedana Ω-cm	Wek pêwîst
8	Naveroka karbonê a/cm³	≤5E16 an wekî ku tê xwestin
9	Naveroka oksîjenê a/cm³	≤1E18 an jî wekî ku tê xwestin
10	Metal Contamination a/cm³	<5E10 (Cu, Cr, Fe, Ni) an <3E10 (Al, Ca, Na, K, Zn)
11	Bixçe	Çenteyê plastîk li hundur, kasa plywood an qutiya kartonê li derve.

Nîşan	Si
Hejmara Atomî	14
Giraniya Atomî	28.09
Element Kategorî	Metaloid
Kom, Serdem, Block	14, 3, P
Avahiya krîstal	Cewher
Reng	Gewrê tarî
Melting Point	1414°C, 1687,15 K
Xala kelandinê	3265°C, 3538,15 K
Density li 300K	2,329 g/cm³
Berxwedana navxweyî	3.2E5 Ω-cm
Hejmara CAS	7440-21-3
Hejmara EC	231-130-8

Single Crystal Silicon Ingot, gava ku bi tevahî mezin bibe û jêhatî bibe berxwedana wê, naveroka nepakî, kamilbûna krîstal, mezinahî û giraniya wê, bi karanîna çerxên almasê tê zexm kirin da ku ew bibe silindirek bêkêmasî ya berbi rastê, dûv re di pêvajoyek eftkirinê re derbas dibe da ku kêmasiyên mekanîkî yên ku ji pêvajoya qirkirinê derketine rabike. .Dûv re mêşa silindrîk di nav blokan de bi dirêjahiya diyarkirî tê qut kirin, û ji hêla pergalên hilgirtina waferê yên otomatîkî ve ji bo hevgirtinê ji bo hevgirtinê ji bo hevgirtinê ji bo ku rêgez û rêwerziya krîstalografîk berî prosesa qutkirina waferê li jêr-destê xêz û daîreya bingehîn an duyemîn tê dayîn.