Galium Antimonide GaSb

Terîf

Galium Antimonide GaSb, nîvconduktorek ji pêkhateyên koma III-V bi strukturên tora zinc-blende, ji hêla hêmanên 6N 7N yên paqijiya bilind û galium û antîmonê ve tê sentez kirin, û bi rêbaza LEC-ê ji îngota polîkrîstalîn a arasteyî cemidî an jî rêbaza VGF ya bi EPD<1000cm ve dibe krîstal.^-3.Wafera GaSb dikare bi yekrengiya pîvanên elektrîkê yên yekreng, strukturên tîrêjê yên bêhempa û domdar, û tîrêjiya kêmasiyê kêm, indexa refraksiyonê ya herî bilind ji piraniya pêkhateyên din ên ne-metalîk re ji lingê yek krîstalî were perçe kirin û dûv re were çêkirin.GaSb dikare bi vebijarkek berfereh di rêgezek rast an dûr de, giraniya dopîngkirî ya kêm an zêde, qedandina rûyê baş û ji bo mezinbûna epîtaksial MBE an MOCVD were hilberandin.Substrate Gallium Antimonide di serîlêdanên wêne-optîk û optoelektronîkî yên herî pêşkeftî de wekî çêkirina dedektorên wêneyê, detektorên infrared ên bi jiyanek dirêj, hestiyar û pêbaweriya bilind, pêkhateya wênegiriyê, LED û lazerên infrared, transîstor, hucreya fotovoltaîk a termal tê bikar anîn. û pergalên termo-photovoltaîk.

Şandinî

Gallium Antimonide GaSb li Pargîdaniya Western Minmetals (SC) dikare bi pîvana 2 "3" û 4" (50mm, 75mm, 100mm) bi pîvana n-tîpa, P-tîpa û guheztina nîv-îzolekirî ya bêserûber were pêşkêş kirin. an <100>, û bi xêzkirina rûbera waferê ya ku bi serpêhatiyên amadekirî yên wekî qutkirî, xêzkirî, paqijkirî an bi kalîteya bilind ve hatî çêkirin.Hemî perçe ji bo nasnameyê bi lazer têne nivîsandin.Di vê navberê de, galeka galium antimonide GaSb ya pokristalîn jî li gorî daxwazê ji bo çareseriya bêkêmasî tête xweş kirin.

Lêpirsîn niha

Details

Tags

Specification Teknîkî

Galium Antimonide

GaSb

Galium Antimonide GaSbsubstrate di serîlêdanên wêne-optîk û optoelektronîkî yên herî pêşkeftî de wekî çêkirina detektorên wêneyê, detektorên infrared ên bi jiyanek dirêj, hestiyar û pêbaweriya bilind, pêkhateya wênegir, LED û lazerên infrared, transîstor, hucreya fotovoltaîk a termal û termo tê bikar anîn. - sîstemên fotovoltaîk.

	Items	Specification Standard
1	Mezinayî	2"	3"	4"
2	Diameter mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0.5
3	Rêbaza Mezinbûnê	LEC	LEC	LEC
4	Conductivity	Tîpa P / Zn-dopkirî, Ne-dopkirî, Tîpa N / Te-dopkirî
5	Orientation	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	Stûrahiya μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientation Flat mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Nasname Flat mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobility cm2/Vs	200-3500 an jî wekî ku tê xwestin
10	Concentration Carrier cm-3	(1-100) E17 an jî wekî ku tê xwestin
11	TTV μm max	15	15	15
12	Bow μm max	15	15	15
13	Warp μm max	20	20	20
14	Dislocation Density cm-2 max	500	1000	2000
15	Dawiya Rûyê	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Bixçe	Konteynirek waferê ya yekane ku di çenteyê Aluminium de hatî girtin.

Formula Linear	GaSb
Giraniya molekulî	191,48
Avahiya krîstal	Zinc blende
Xuyabûnî	Zewaca krîstalî ya gewr
Melting Point	710°C
Xala kelandinê	N/A
Density li 300K	5,61 g/cm³
Gap Energy	0,726 eV
Berxwedana navxweyî	1E3 Ω-cm
Hejmara CAS	12064-03-8
Hejmara EC	235-058-8

Galium Antimonide GaSbli Pargîdaniya Western Minmetals (SC) dikare bi pîvana 2" 3" û 4" (50mm, 75mm, 100mm), rêgez <111> an <100 bi rêgeziya nîv-îzolekirî ya tîpa n, P-tîp û neçapkirî were pêşkêş kirin. >, û bi xêzkirina rûbera waferê ya ku ji epitaxy amadekirî ya wekî qutkirî, xêzkirî, polandî an jî bi kalîte bilind.Hemî perçe ji bo nasnameyê bi lazer têne nivîsandin.Di vê navberê de, galeka galium antimonide GaSb ya pokristalîn jî li gorî daxwazê ji bo çareseriya bêkêmasî tête xweş kirin.