Indium Fosphide InP

Terîf

Indium Fosphide InP,CAS No.22398-80-7, xala helandinê 1600°C, nîvconduktorek hevedudanî ya binary a ji malbata III-V, avahiyek krîstal a "zinc blende" ya rû-navenda, ku bi piraniya nîvconduktorên III-V re wekhev e, ji hev têne sentez kirin. 6N 7N hêmana îndyûm û fosforê ya paqijiya bilind, û bi teknîka LEC an VGF di yek krîstal de mezin dibe.Krîstala fosfîdê îndyûm ji bo çêkirina tîrêjê n-tîp, p-tîp an jî nîv-îzolasyon tê dop kirin ji bo çêkirina waferê heya 6 ″ (150 mm), ku valahiya wê ya rasterast, tevgera bilind a elektron û kun û germahiya bikêr vedihewîne. gihandin.Indium Phosphide InP Wafer prim an pola ceribandinê li Pargîdaniya Western Minmetals (SC) dikare bi pîvana 2" 3" 4" û 6" (heta 150 mm) bi rêgeziya p-type, n-tîp û nîv-îzolasyonê were pêşkêş kirin. orientation <111> an <100> û stûrbûna 350-625um bi pêvajoyek etched û polandî an Epi-amade ye.Di vê navberê de Indium Phosphide Single Crystal Ingot 2-6″ li gorî daxwazê heye.Polykrystalline Indium Fosphide InP an Ingo InP Pir-kristal bi mezinahiya D(60-75) x Dirêjahî (180-400) mm 2,5-6,0 kg bi giraniya hilgirê kêmtir ji 6E15 an 6E15-3E16 jî heye.Her taybetmendiyek xwerû li ser daxwazê peyda dibe ku bigihîje çareseriya bêkêmasî.

Applications

Indium Fosphide InP wafer bi berfirehî ji bo çêkirina hêmanên optoelektronîkî, amûrên elektronîkî yên bi hêz û frekansa bilind, wekî substratek ji bo amûrên opto-elektronîkî yên bingehîn indium-galium-arsenide (InGaAs) epitaxial tê bikar anîn.Indium Phosphide di heman demê de ji bo çavkaniyên ronahiyê yên pir hêvdar di ragihandina fîbera optîkî de, amûrên çavkaniya hêza mîkropêl, amplifikatorên mîkropêl û amûrên FET-ên dergehê, modulatorên bilez û detektorên wêneyê, û navîgasyona satelîtê û hwd.

Lêpirsîn niha

Details

Tags

Specification Teknîkî

Indium Fosphide InP

Indium Fosphide Single CrystalLi Pargîdaniya Western Minmetals (SC) Wafer (ingota krîstalê ya InP an Wafer) dikare bi pîvana 2 "3" 4" û 6" (heta 150 mm) bi rêgeziya p-typ, n û nîv-îzolasyon were pêşkêş kirin. orientation <111> an <100> û stûrbûna 350-625um bi pêvajoyek etched û polandî an Epi-amade ye.

Indium Fosphide Polycrystallinean Ingot Pir-Krîstal (InP îngota polî) bi mezinahiya D(60-75) x L (180-400) mm 2,5-6,0 kg bi giraniya hilgirê kêmtir ji 6E15 an 6E15-3E16 heye.Her taybetmendiyek xwerû li ser daxwazê peyda dibe ku bigihîje çareseriya bêkêmasî.

Na.	Items	Specification Standard
1	Indium Fosphide Single Crystal	2"	3"	4"
2	Diameter mm	50,8±0,5	76,2±0,5	100±0.5
3	Rêbaza Mezinbûnê	VGF	VGF	VGF
4	Conductivity	P/Zn-dopekirî, N/(S-dopekirî an ne-dopkirî), Nîv-îzolasyon
5	Orientation	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	Stûrahiya μm	350±25	600±25	600±25
7	Orientation Flat mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Nasname Flat mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobility cm2/Vs	50-70, > 2000, (1.5-4) E3
10	Concentration Carrier cm-3	(0.6-6) E18, ≤3E16
11	TTV μm max	10	10	10
12	Bow μm max	10	10	10
13	Warp μm max	15	15	15
14	Dislocation Density cm-2 max	500	1000	2000
15	Dawiya Rûyê	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Bixçe	Konteynirê waferê yê yekane ku di çenteyê pêkhatî ya aluminiumê de hatî girtin.

Na.	Items	Specification Standard
1	Ingot Fosphide Ingot	Ingot Poly-Krîstal an Pir-Krîstal
2	Mezinahiya Crystal	D (60-75) x L (180-400) mm
3	Weight per Ingot Crystal	2,5-6,0 Kg
4	Hejînî	≥3500 cm²/VS
5	Concentration Carrier	≤6E15, an 6E15-3E16 cm^-3
6	Bixçe	Her çîçeka krîstalê ya InP-ê di kîsika plastîk a morkirî de ye, 2-3 çîmento di yek qutiyek kartonê de ye.

Formula Linear	InP
Giraniya molekulî	145,79
Avahiya krîstal	Zinc blende
Xuyabûnî	Crystalline
Melting Point	1062°C
Xala kelandinê	N/A
Density li 300K	4,81 g/cm³
Gap Energy	1.344 eV
Berxwedana navxweyî	8.6E7 Ω-cm
Hejmara CAS	22398-80-7
Hejmara EC	244-959-5

Indium Fosphide InP Waferbi berfirehî ji bo çêkirina hêmanên optoelektronîkî, amûrên elektronîkî yên bi hêz û frekansa bilind, wekî substratek ji bo amûrên opto-elektronîkî yên bingehîn indium-galium-arsenide (InGaAs) epitaxial tê bikar anîn.Indium Phosphide di heman demê de ji bo çavkaniyên ronahiyê yên pir hêvdar di ragihandina fîbera optîkî de, amûrên çavkaniya hêza mîkropêl, amplifikatorên mîkropêl û amûrên FET-ên dergehê, modulatorên bilez û detektorên wêneyê, û navîgasyona satelîtê û hwd.