Indium Arsenide InAs

Terîf

Krîstala îndyûm arsenîda InAs nîvconduktorek hevedudanî ya koma III-V e ku bi kêmî ve 6N 7N îndyûm û hêmana arsenîk a pak tê sentezkirin û bi pêvajoya VGF an Czochralski (LEC) ve yek krîstal mezin dibe, xuyangê rengê gewr, krîstalên kûp ên bi avahiya zinc-blende. , xala helandinê 942 °C.Kevirê band arsenîdê îndyûm veguheztinek rasterast e ku bi galium arsenîd re wekhev e, û firehiya banda qedexe 0,45eV (300K) ye.Krîstala InAs xwedan yekrengiya pîvanên elektrîkê, tîrêjê domdar, tevgera elektronek bilind û kêmbûna kêmasiyê ye.Krîstalek InAs ya silindirîkî ya ku ji hêla VGF an LEC ve hatî mezin kirin dikare ji bo mezinbûna epîtaksial MBE an MOCVD di nav waferê de wekî qutkirî, xêzkirin, paqijkirin an epi-amade were perçe kirin û çêkirin.

Applications

Vafera krîstal a arsenîdê ya îndyûm ji bo çêkirina cîhazên Hall û senzora qada magnetîkî ji bo livîna wê ya jorîn a holikê lê bandgapa enerjiyê ya teng, materyalek îdeal e ji bo avakirina detektorên infrasor bi dirêjahiya pêlê 1-3,8 μm ku di sepanên bi hêza bilind de tê bikar anîn substratek girîng e. di germahiya odeyê de, û her weha lazerên tîrêjê super infrared bi dirêjahiya pêla navîn, amûrên LED-ên infrasor ên navîn ji bo dirêjahiya pêla wê ya 2-14 μm têne çêkirin.Digel vê yekê, InAs substratek îdeal e ku bêtir piştgirî bide strukturên heterojen ên InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb an jî AlGaSb strukturên tora super û hwd.

Lêpirsîn niha

Details

Tags

Specification Teknîkî

Indium Arsenide

InAs

Indium Arsenide Crystal Waferji bo çêkirina cîhazên Hall û senzora zeviya magnetîkî ji bo livîna wê ya jorîn a salonê lê bandgapa enerjiyê ya teng substratek mezin e, materyalek îdeal e ji bo avakirina detektorên infrasor bi dirêjahiya pêlê 1–3,8 μm ku di sepanên bi hêztir de li germahiya odeyê tê bikar anîn, û her weha lazerên tîrêjê super înfrared bi dirêjahiya pêlê ya navîn, çêkirina amûrên LED-ê yên navîn-infrared ji bo rêza dirêjahiya pêlê ya 2-14 μm.Digel vê yekê, InAs substratek îdeal e ku bêtir piştgirî dide heterojenên InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb an AlGaSb strûktûra tîrêjê super û hwd.

Na.	Items	Specification Standard
1	Mezinayî	2"	3"	4"
2	Diameter mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0.5
3	Rêbaza Mezinbûnê	LEC	LEC	LEC
4	Conductivity	Tîpa P/Zn-dopkirî, Tîpa N/S-dopkirî, Ne-dopkirî
5	Orientation	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	Stûrahiya μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientation Flat mm	16±2	22±2	32±2
8	Nasname Flat mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobility cm2/Vs	60-300, ≥2000 an jî wekî ku tê xwestin
10	Concentration Carrier cm-3	(3-80) E17 an ≤5E16
11	TTV μm max	10	10	10
12	Bow μm max	10	10	10
13	Warp μm max	15	15	15
14	Dislocation Density cm-2 max	1000	2000	5000
15	Dawiya Rûyê	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Bixçe	Konteynirek waferê ya yekane ku di çenteyê Aluminium de hatî girtin.

Formula Linear	InAs
Giraniya molekulî	189,74
Avahiya krîstal	Zinc blende
Xuyabûnî	Zewaca krîstalî ya gewr
Melting Point	(936-942)°C
Xala kelandinê	N/A
Density li 300K	5,67 g/cm³
Gap Energy	0,354 eV
Berxwedana Navxweyî	0,16 Ω-cm
Hejmara CAS	1303-11-3
Hejmara EC	215-115-3

Indium Arsenide InAsli Pargîdaniya Western Minmetals (SC) dikare wekî pîvazên polîkrîstalîn an yek krîstal wekî qutkirî, xêzkirî, paqijkirî, an epi-amade waferên di mezinahiya 2 "3" û 4" (50mm, 75mm, 100mm) de werin peyda kirin, û P-type, n-type an jî ne-dopkirî û rêgeziya <111> an <100>.Taybetmendiya xwerû ji bo çareseriya bêkêmasî ya xerîdarên me li çaraliyê cîhanê ye.