Oksîdê Indium

Terîf

Oksîdê îndyûm In₂O₃an trîoksîta îndyûm 99,99%, 99,995%, 99,999% û 99,9999%, mîkropowderek an nanoparçikek toza hişk-zerê sivik, CAS 1312-43-3, tîrêjê 7,18 g/cm³û li dora 2000° diheleC, maddeyek mîna seramîk a stabîl e ku di avê de nayê çareser kirin, lê di asîdên neorganîk ên germ de tê çareser kirin.Indyum Oxide In₂O₃Materyalek fonksiyonê ya nîv-rêveberê ya n-yê ye ku xwedan berxwedanek piçûktir, çalakiya katalîtîk a bilind û valahiyek bandek berfireh ji bo sepanên optoelektronîkî ye. Indyum Oxide In₂O₃li Pargîdaniya Western Minmetals (SC) dikare bi paqijiya 99.99%, 99.995%, 99.999% û 99.9999% di mezinahiya 2-10 mîkron an -100 mesh toz û pola nano de, 1kg di şûşeya polîetîlenê de bi kîsika plastîk a morkirî ve hatî pak kirin, were radest kirin. an 1kg, 2kg 5kg di çenteyê aluminiumê yê pêkhatî de bi qutiya kartonê li derve, an wekî taybetmendiyên xwerû yên çareseriyên bêkêmasî.

Applications

Indyum Oxide In₂O₃di fotoelektrîk, senzora gazê, refleksên infra-sor fîlima nazik, refleksên înfra-sor fîlima tenik, serîlêdana katalîzatorê, lêzêdekirina rengê cama taybet, bataryayên alkalîn, û guheztin û têkilîyên elektrîkê yên niha yên bilind, cil û bergên parastinê yên neynikê metallîk, û ji bo fîlima nîv-conductor ya elektro-optîkî de tê bikar anîn. nîşandana hwd₂O₃Ji bo pêşandan, pencereyên bikêrhatî yên enerjiyê û fotovoltaîk pêkhateya sereke ya armanca ITO ye.Herweha, In₂O₃Di IC-an de wekî hêmanek berxwedêr e ku bi materyalên mîna p-InP, n-GaAs, n-Si û nîvconduktorên din re heterojunctionan çêbike.Di vê navberê de, xwedan bandora rûkal, mezinahiya piçûk û bandora tunekirina quantum a makroskopî,Nano In₂O₃di serî de ji bo pêlavên optîkî û antîstatîk, serîlêdana pêlavên şefaf e.

Lêpirsîn niha

Details

Tags

Specification Teknîkî

In₂O₃

Xuyabûnî	Toza zer
Giraniya molekulî	277,63
Density	7,18 g/cm³
Melting Point	2000°C
CAS No.	1312-43-2

Na.	Şanî		Specification Standard
1	Paqijiya In₂O₃≥		Nepakî (Rapora Testê ya ICP-MS PPM Max her yek)
2	4N	Rêsakanî bekarhênan 99.99%	Cu/Al 20, Ti 3.0, Pb 4.0, Sn 7.0, Cd 8.0, Fe 15	Bi tevahî ≤100
	4N5	99.995%	Cu/Al/Cd/Sn/Ti/Ni/As/Zn 1.0, Si 2.0, Fe/Ca 5.0	Bi tevahî ≤50
	5N	99.999%	Cu/Pb/Cd/Fe/Ni 0,5, Ca/Sn/Ti 1,0	Bi tevahî ≤10
	6N	99.9999%	Li ser daxwazê heye	Bi tevahî ≤1.0
3	Mezinayî		2-10μm toz ji bo paqijiya 4N 5N5 5N, toz -100mesh ji bo paqijiya 6N
4	Bixçe		1 kg di şûşeya polîetîlenê de bi kîsika plastîk a girtî li derve

Indyum Oxide In₂O₃ an Indium Trioxide In₂O₃li Pargîdaniya Western Minmetals (SC) dikare bi paqijiya 99,99%, 99,995%, 99,999% û 99,9999% 4N 4N5 5N 6N bi mezinahiya 2-10 mîkron an -100 mesh toz û pola nano, 1 kg şûşeyek bi polîethylene pakkirî were radest kirin. çenteya plastîk a morkirî, dûv re qutiya kartonê li derve, an wekî taybetmendiyên xwerû yên çareseriyên bêkêmasî.

Indyum Oxide In₂O₃di fotoelektrîk, senzora gazê, refleksên infra-sor fîlima nazik, refleksên înfra-sor fîlima tenik, serîlêdana katalîzatorê, lêzêdekirina rengê cama taybet, bataryayên alkalîn, û guheztin û têkilîyên elektrîkê yên niha yên bilind, cil û bergên parastinê yên neynikê metallîk, û ji bo fîlima nîv-conductor ya elektro-optîkî de tê bikar anîn. nîşandana hwd₂O₃Ji bo pêşandan, pencereyên bikêrhatî yên enerjiyê û fotovoltaîk pêkhateya sereke ya armanca ITO ye.Herweha, In₂O₃Di IC-an de wekî hêmanek berxwedêr e ku bi materyalên mîna p-InP, n-GaAs, n-Si û nîvconduktorên din re heterojunctionan çêbike.Di vê navberê de, xwedan bandora rûkal, mezinahiya piçûk û bandora tunekirina quantum a makroskopî, Nano In₂O₃di serî de ji bo pêlavên optîkî û antîstatîk, serîlêdana pêlavên şefaf e.