Galium Fosphide GaP

Terîf

Galium Fosphide GaP, nîvconduktorek girîng a taybetmendiyên elektrîkî yên bêhempa wekî materyalên din ên tevlihev III-V, di avahiya ZB-ya kubî ya termodinamîkî ya îstîqrar de krîstalîze dibe, materyalek krîstalek nîvtransparent-reng-rengî ye ku bi valahiya bandek nerasterast 2,26 eV (300K) ye. ji 6N 7N galium û fosforê paqijiya bilind tê sentez kirin, û bi teknîka Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) ve di yek krîstal de mezin dibe.Krîstala Galium Fosfîdê ji kelûmêr an teluriumê tê dop kirin da ku nîvconduktorê n-type werbigire, û zinc jî wekî rêgeziya tîpa-p tê dop kirin ji bo ku bêtir li wafera xwestî were çêkirin, ku di pergala optîkî, elektronîk û amûrên din ên optoelektronîkî de sepan hene.Wafera GaP ya Single Crystal dikare ji bo serîlêdana epîtaksial a LPE, MOCVD û MBE Epi-Ready were amadekirin.Gallium fosfîd GaP waferê bi qalîteya bilind a qalîteya bilind, rêgeziya n-tîp an jî bêserûber li Pargîdaniya Western Minmetals (SC) dikare bi mezinahiya 2″û 3” (50mm, 75mm diameter) were pêşkêş kirin, orientation <100>,<111 > bi pêvajoyek pêvajoyek qutkirî, paqijkirî an epi-amade bi qedandina rûberê.

Applications

Di berbelavkirina ronahiyê de bi niha kêm û karîgeriya zêde, GaP wafera fosfîdê galium ji bo pergalên dîmendera optîkî yên wekî dîodên ronahiyê yên sor, porteqalî û kesk (LED) û ronahiya paşîn a zer û kesk LCD û hwd û çîpên LED-ê yên ku bi hilberîna çîpên LED-ê yên bi lêçûn re guncan e. Ronahiya kêm û navîn, GaP di heman demê de bi berfirehî wekî bingehek bingehîn ji bo çêkirina senzorên infrared û kamerayên çavdêriyê jî tête pejirandin.

Lêpirsîn niha

Details

Tags

Specification Teknîkî

Galium Fosphide GaP

Li Pargîdaniya Western Minmetals (SC) wafer Gallium Phosphide GaP ya yek krîstal a qalîteya bilind an guheztina substratê ya tîpa p, n-tîp an jî bêserûber li Pargîdaniya Western Minmetals (SC) dikare bi qebareya 2" û 3" (50mm, 75mm) bi pîvan, orientation <100> were pêşkêş kirin. , <111> bi xêzkirina rûberê ya wekî qutkirî, lapkirî, xêzkirî, paqijkirî, epi-amade hatî pêvajo kirin di konteynerek waferê ya yekane de ku di çenteyê pêkhatî ya aluminiumê de hatî mohrkirin an jî wekî taybetmendiyek xwerû ya çareseriya bêkêmasî.

Na.	Items	Specification Standard
1	Mezinahiya GaP	2"
2	Diameter mm	50,8 ± 0,5
3	Rêbaza Mezinbûnê	LEC
4	Conductivity Type	Tîpa P/Zn-dopkirî, Tîpa N/(S, Si,Te)-dopkirî, Ne-dopkirî
5	Orientation	<1 1 1> ± 0,5°
6	Stûrahiya μm	(300-400) ± 20
7	Berxwedana Ω-cm	0,003-0,3
8	Orientation Flat (OF) mm	16±1
9	Nasname Flat (IF) mm	8±1
10	Mobility Hall cm2 / Vs min	100
11	Carrier Concentration cm^-3	(2-20) E17
12	Dislocation Density cm^-2max	2.00E+05
13	Dawiya Rûyê	P/E, P/P
14	Bixçe	Konteynirek waferê ya yekane ku di çenteyê pêkhatî ya aluminiumê de, qutiya kartonê li derve hatî girtin

Formula Linear	Qelîştok
Giraniya molekulî	100.7
Avahiya krîstal	Zinc blende
Xuyabûn	Orange solid
Melting Point	N/A
Xala kelandinê	N/A
Density li 300K	4,14 g/cm³
Gap Energy	2,26 eV
Berxwedana navxweyî	N/A
Hejmara CAS	12063-98-8
Hejmara EC	235-057-2

Galium Fosphide GaP Wafer, bi herikîna kêm û karîgeriya bilind a di ronahiyê de, ji bo pergalên dîmendera optîkî yên wekî dîodên ronahiyê yên sor, porteqalî û kesk (LED) û ronahiya paşîn a zer û kesk LCD û hwd û çîpên LED-ê yên ku bi kêm û navîn têne çêkirin, guncan e. şewq, GaP di heman demê de bi berfirehî wekî bingehek bingehîn ji bo çêkirina senzorên infrared û kamerayên çavdêriyê jî tête pejirandin.